IPB080N06N G характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO263-3-2
Рассеивание мощности (Макс)	214W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.7 mOhm @ 80A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO263-3-2
Рассеивание мощности (Макс)	214W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.7 mOhm @ 80A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IPB080N06N G

IPB080N06N G характеристики